Про стабілізацію частоти ЦПД

З роботою по стабілізації частоти ЦПД стикаються чи не всі радіоаматори, що виготовляють KB-апаратуру. Для отримання стабільної частоти зазвичай рекомендується в ГПД та коливальному контурі підбирати конденсатори з позитивними (або) негативним коефіцієнтом ємності. У деяких випадках це неможливо зробити з різних причин, або отриманий ефект недостатній.

Однак вказаний спосіб не єдиний. Якщо в коливальний контур входить варикап, стабілізацію частоти можна здійснити за допомогою подачі на варикап керуючого напруги, залежить, крім інших причин, і від температури. Для цього керуюча напруга подається спочатку на термозавісімих резистивний дільник, а з нього вже - на варикап. Гаряче плече термозависимого дільника являє собою резистор з позитивним температурним коефіцієнтом опору (ТКС), а холодне - з негативним ТКС. Таким способом в комбінації з загальноприйнятим була здійснена стабілізація частоти ЦПД трансивера [1]. На рис. 1, де наведено фрагмент схеми ЦПД, дана схема включення такого дільника [1].

Рис.1

Позначення на рисунку такі ж, як в [1]. В якості гарячого плеча дільника RA використовується опір між базами Б1 і Б2 (емітер залишається вільним) одноперехідного транзистора КТ117с будь-яким буквеним індексом. Проміжок між базами Б1 і Б2 транзистора КТ117 являє собою кремнієве опір з великим позитивним ТКС - до 0,5 до 0,9%/°С [2, 3]. Величина межбазового опору транзисторів КТ117 лежить в межах від 4 до 12 кОм, використовувалося RA=10 кОм. В якості холодного плеча дільника RB застосований напівпровідниковий терморезистор КМТ-10 опором 80 кОм при 20°С, негативний ТКС якого при 20°C становить 4.2%/°С[4,5]. При перекомпенсації, тобто коли частота ЦПД почне змінюватися у протилежному напрямку, треба зашунтувати гаряче плече дільника RA звичайним резистором, наприклад МЛТ, величина якого підбирається по мірі стабілізації частоти ЦПД. Стабілізацію частоти ЦПД слід починати з 10-ти метрового діапазону [1].

Література

1. Лаповок Я. Я будую KB станцію. - М.: ДОСААФ. - 1983.
2. Недолужко В. Одноперехідні транизсторы. - М.: Энерпм. - 1974. - с. 27.
3. Ольсевич А. Двухбазовые діоди в автоматиці. - М: Енергія, - 1972. - 17 с..
4. Зайцев Ю Напівпровідникові резистори в радиосхемах. - М: Енергія. - 1971.-с. 9.
5. Незнайко А. Конденсатори і резистори. МРБ, вип.861. - М: Енергія, - 1974.-c.l08.

Автор: Ст. Кульгавчук (RA3TIB), Росія, р. Саров, Нижегородська обл.; Публікація: М. Большаков, rf.atnn.ru